本网讯 近日，我校物理与电子学院2016级光电信息科学与工程专业本科生高远基，在刘艳平教授的指导下，作为共同第一作者在国际权威期刊Nano Research(SCI一区，影响因子：8.515)上发表题为“Valleytronics in transition metal dichalcogenides materials(基于过渡金属硫化物材料的谷电子学)”论文，这是物理与电子学院本科生发表的又一篇高影响因子论文，刘艳平教授为本文通讯作者，中南大学为第一单位。

（图为新型过渡金属二硫属化物材料在信息存储和量子计算机等信息器件中的应用潜能）

布洛赫电子的第一布里渊区中的谷自由度为信息存储和量子计算提供了一种崭新的方法。新型过渡金属二硫化物(TMD)材料具有新颖的结构、光子和电子特性，尤其是单层中的直接带隙和破缺的反转对称性，使其成为谷电子学研究的理想候选。但过渡金属硫化物谷间弛豫机制仍然模糊不清，且谷操纵方法较为复杂，严重阻碍了其在谷电子学器件中的应用。在该论文中，作者系统地阐述了基于过渡金属硫化物谷自由度的基本属性和调控策略(光学，电学，磁学和机械调节），总结了基于过渡金属硫化物的谷电子学器件的最新进展，指明了谷电子学发展当前面临的挑战并深度展望了谷电子学研究的未来方向。该工作有助于理解过渡金属硫化物材料中的谷激子的微观特性，对基于谷电子学的信息存储和量子计算器件研究具有指导意义。

（图为高远基(左)和导师刘艳平(右)在实验室）

高远基同学在大二时加入中南大学低维量子器件实验室，在刘艳平教授的指导下，开展文献调研收集、研究方案拟定落实、数据分析和处理、科技论文撰写等科研工作。目前高远基还有另外2篇SCI论文也正在审稿中，有望在本科毕业前发表3篇以上高水平论文。相关工作得到了国家自然科学基金、湖南省重点研发基金、中南大学创新驱动计划和中南大学青年创新团队项目的大力支持。

刘艳平教授课题组实验室致力于新型信息器件的研究，涵盖二维材料自旋电子学、谷电子学、纳米光电器件。以二维材料为载体，采用先进的微纳加工工艺和材料改性手段，通过外加条件：电、磁、光、热、力等，围绕材料的自旋、能谷、电荷输运、拓扑等物理效应开展研究，设计并研制相应的新型量子信息原型器件，开拓其在电子信息领域的应用。这一研究激发了学生的科研兴趣，更好地服务于国家经济建设和国防现代化建设。

论文链接：http://www.thenanoresearch.com/work_just.asp